TSM1N45DCS RLG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

450 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

500 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

6.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

900 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

36 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

21 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.5 ns

Tags

TSM1N45D, TSM1N4, TSM1N, TSM1, TSM