APT26F120L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

27 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

480 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

300 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.135 kW

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

POWER MOS 8

Verpackung:

Rohr

Höhe:

5.21 mm

Länge:

26.49 mm

Breite:

20.5 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

31 S

Abfallzeit:

48 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

31 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

170 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

50 ns

Gewichtseinheit:

0.373904 oz

Tags

APT26, APT2, APT