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NTD5407NG

NTD5407NG
Mfr. #:
NTD5407NG
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET NFET 40V 38A PB
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
NTD5407NG Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NTD5407NG DatasheetNTD5407NG Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-252-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
40 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
38 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
26 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
75 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Höhe:
2.38 mm
Länge:
6.73 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Typ:
MOSFET
Breite:
6.22 mm
Marke:
ON Semiconductor
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
15 S
Abfallzeit:
51 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
17 ns
Werkspackungsmenge:
75
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
6.8 ns
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
NTD5407, NTD540, NTD54, NTD5, NTD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ser
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 40V 38A PB
***th Star Micro
Power MOSFET 40 V 38 A Single N-Channel DPAK
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:38A; Drain Source Voltage, Vds:40V; On Resistance, Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3.5V; Power Dissipation, Pd:75W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
NTD5407NG
DISTI # NTD5407NG-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 40V 38A DPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 825
Container: Tube		Limited Supply - Call
    NTD5407NG
    DISTI # NTD5407NG    		ON Semiconductor- Bulk (Alt: NTD5407NG)
    Min Qty: 1316
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 1316:$0.2479
    • 1318:$0.2459
    • 2634:$0.2429
    • 6580:$0.2399
    • 13160:$0.2339
    NTD5407NG
    DISTI # 863-NTD5407NG    		ON SemiconductorMOSFET NFET 40V 38A PB
    RoHS: Compliant    		0
      NTD5407NGON SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 38A I(D), 40V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
      RoHS: Compliant      		1081
      • 1000:$0.2500
      • 500:$0.2600
      • 100:$0.2700
      • 25:$0.2900
      • 1:$0.3100
      Bild Teil # Beschreibung
      NTD5C688NLT4G

      Mfr.#: NTD5C688NLT4G

      OMO.#: OMO-NTD5C688NLT4G

      		 MOSFET T6 60V LL DPAK
      NTD5862NT4G

      Mfr.#: NTD5862NT4G

      OMO.#: OMO-NTD5862NT4G

      		 MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM
      NTD5804NT4G

      Mfr.#: NTD5804NT4G

      OMO.#: OMO-NTD5804NT4G

      		 MOSFET NFET DPAK 40V 69A 8.5mOhm
      NTD50N03G

      Mfr.#: NTD50N03G

      OMO.#: OMO-NTD50N03G-1190

      		 Neu und Original
      NTD5406NT4G

      Mfr.#: NTD5406NT4G

      OMO.#: OMO-NTD5406NT4G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
      NTD5414N

      Mfr.#: NTD5414N

      OMO.#: OMO-NTD5414N-1190

      		 Neu und Original
      NTD5805NG

      Mfr.#: NTD5805NG

      OMO.#: OMO-NTD5805NG-1190

      		 Neu und Original
      NTD5865NT4G

      Mfr.#: NTD5865NT4G

      OMO.#: OMO-NTD5865NT4G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
      NTD5C446NT4G

      Mfr.#: NTD5C446NT4G

      OMO.#: OMO-NTD5C446NT4G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRENCH 6 40V FET
      NTD5867NLT4G-CUT TAPE

      Mfr.#: NTD5867NLT4G-CUT TAPE

      OMO.#: OMO-NTD5867NLT4G-CUT-TAPE-1190

      		 Neu und Original
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      5000
      Menge eingeben:
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