KSB1121STF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 25 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.35 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

KSB1121

DC-Stromverstärkung hFE Max:

560

Höhe:

1.7 mm

Länge:

4.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 2 A

Pd - Verlustleistung:

500 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

KSB1121STF_NL

Gewichtseinheit:

0.004603 oz

Tags

KSB1121STF, KSB1121S, KSB112, KSB11, KSB1, KSB