IRF7663TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Micro-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

30 nC

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.11 mm

Länge:

3 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3 mm

Marke:

Infineon / IR

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Tags

IRF7663T, IRF7663, IRF766, IRF76, IRF7, IRF