ZXMP10A17GQTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

450 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

10.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

ZXMP10A

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.8 S

Abfallzeit:

7.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.5 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

ZXMP10A17G, ZXMP10A17, ZXMP10A1, ZXMP1, ZXMP, ZXM