STP60NE06-16

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

16 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.15 mm

Länge:

10.4 mm

Serie:

STP60NE06

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.6 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

150 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

125 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Einschaltverzögerungszeit:

40 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STP60NE06, STP60NE, STP60N, STP60, STP6, STP