2SD1207T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.15 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2SD1207

DC-Stromverstärkung hFE Max:

400

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

140

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2SD1207T, 2SD1207, 2SD120, 2SD12, 2SD1, 2SD