CSD25484F4T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PICOSTAR-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

825 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

1.09 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

FemtoFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.2 mm

Länge:

1 mm

Serie:

CSD25484F4

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

0.6 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.5 S

Abfallzeit:

8.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.5 ns

Gewichtseinheit:

0.000014 oz

Tags

CSD2548, CSD254, CSD25, CSD2, CSD