SQJ431EP-T2_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

213 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 3.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

106 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

83 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Vishay

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

16 S

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

44 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Tags

SQJ431EP-T, SQJ431E, SQJ431, SQJ43, SQJ4, SQJ