SSM3J338R,LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23F-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

45.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

1.8 V

Qg - Gate-Ladung:

19.5 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

SSM3J338

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Toshiba

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

17 S

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

383 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

65 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

SSM3J338, SSM3J33, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM