EMF5XV6T5G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.25 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.1 A

Serie:

EMF5XV6

Höhe:

0.55 mm

Länge:

1.6 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.2 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

80

Pd - Verlustleistung:

357 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000106 oz

Tags

EMF5XV6T, EMF5X, EMF5, EMF