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IXGT24N170

IXGT24N170
Mfr. #:
IXGT24N170
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXGT24N170 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXGT24N170 Datasheet
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-268-3
Montageart:
SMD/SMT
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1.7 kV
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
50 A
Pd - Verlustleistung:
250 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
IXGT24N170
Verpackung:
Rohr
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
150 A
Höhe:
5.1 mm
Länge:
16.05 mm
Betriebstemperaturbereich:
- 55 C to + 150 C
Breite:
14 mm
Marke:
IXYS
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
50 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
100 nA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
0.158733 oz
Tags
IXGT24N1, IXGT24, IXGT2, IXGT, IXG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
*** Electronics
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***i-Key
IGBT 1700V 50A 250W TO268
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
***i-Key
IGBT 1700V 12A 75W TO268
***ure Electronics
IGBT Transistors 12 Amps 1700V 3.6 Rds
***S
new, original packaged
***el Nordic
Contact for details
***enic
TO-268 IGBTs ROHS
***ure Electronics
IXGH10N170 Series 1700 V 10 A Surface Mount High Voltage IGBT - TO-268
***el Electronic
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***i-Key
IGBT 1700V 20A 110W TO268
***S
new, original packaged
***ure Electronics
IXGT16N170A Series 1700 V 16 A Surface Mount Silicon IGBT - TO-268
***el Electronic
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***i-Key
IGBT 1700V 16A 190W TO268
***ure Electronics
APT25GR120 Series 1200 V 75 A 521 W Field Stop - Trench Gate IGBT - TO-268-3
***et
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 3-Pin D3PAK
*** Stop Electro
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
***rochip
IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 25 A TO-268
***ure Electronics
APT25GN120SG Series 1200 V 67 A SMT Trench and Field Stop IGBT - D3PAK
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 521000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK
***ure Electronics
APT25GR120Sx Series 1200 V 75 A Surface Mount Ultra Fast NPT IGBT® - D3PAK
*** Stop Electro
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXGT24N170AH1
DISTI # IXGT24N170AH1-ND		IXYS CorporationIGBT 1700V 24A 250W TO268
RoHS: Compliant
Min Qty: 300
Container: Tube		Limited Supply - Call
  • 300:$13.9314
IXGT24N170
DISTI # IXGT24N170-ND		IXYS CorporationIGBT 1700V 50A 250W TO268
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$12.7040
IXGT24N170A
DISTI # IXGT24N170A-ND		IXYS CorporationIGBT 1700V 24A 250W TO268
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$13.3643
IXGT24N170
DISTI # 747-IXGT24N170		IXYS CorporationIGBT Transistors 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds
RoHS: Compliant		0
  • 30:$12.1000
  • 60:$11.4000
  • 120:$11.1200
  • 270:$10.1400
  • 510:$9.4800
IXGT24N170AH1
DISTI # 747-IXGT24N170AH1		IXYS CorporationIGBT Transistors 48 Amps 1700V 6.0 V Rds
RoHS: Compliant		0
  • 1:$18.8300
  • 10:$17.1200
  • 25:$15.8400
  • 50:$14.9200
  • 100:$14.5500
  • 250:$13.2700
  • 500:$12.4100
IXGT24N170A
DISTI # 747-IXGT24N170A		IXYS CorporationIGBT Transistors 24 Amps 1200 V 5 V Rds
RoHS: Compliant		0
  • 1:$15.1400
  • 10:$13.7600
  • 25:$12.7300
  • 50:$11.9900
  • 100:$11.7000
  • 250:$10.6600
  • 500:$9.9800
Bild Teil # Beschreibung
IXGT24N170

Mfr.#: IXGT24N170

OMO.#: OMO-IXGT24N170

 IGBT Transistors 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds
IXGT20N 60BD1

Mfr.#: IXGT20N 60BD1

OMO.#: OMO-IXGT20N-60BD1

 IGBT Transistors 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
IXGT24N60

Mfr.#: IXGT24N60

OMO.#: OMO-IXGT24N60-1190

 Neu und Original
IXGT20N120

Mfr.#: IXGT20N120

OMO.#: OMO-IXGT20N120-IXYS-CORPORATION

 IGBT 1200V 40A 150W TO268
IXGT20N60B

Mfr.#: IXGT20N60B

OMO.#: OMO-IXGT20N60B-IXYS-CORPORATION

 IGBT 600V 40A 150W TO268
IXGT20N 60BD1

Mfr.#: IXGT20N 60BD1

OMO.#: OMO-IXGT20N-60BD1-126

 IGBT Transistors 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
IXGT20N 60B

Mfr.#: IXGT20N 60B

OMO.#: OMO-IXGT20N-60B-126

 IGBT Transistors 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
IXGT24N60B

Mfr.#: IXGT24N60B

OMO.#: OMO-IXGT24N60B-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors 48 Amps 600 V 1.7 V Rds
IXGT24N170AH1

Mfr.#: IXGT24N170AH1

OMO.#: OMO-IXGT24N170AH1-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors 48 Amps 1700V 6.0 V Rds
IXGT24N170

Mfr.#: IXGT24N170

OMO.#: OMO-IXGT24N170-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1000
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von IXGT24N170 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
30
12,10 $
363,00 $
60
11,40 $
684,00 $
120
11,12 $
1 334,40 $
270
10,14 $
2 737,80 $
510
9,48 $
4 834,80 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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