RFD9N05

RFD9N05
Mfr. #:
RFD9N05
Hersteller:
RF Digital
Beschreibung:
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RFD9N05 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Tags
RFD9, RFD
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RFD90101
DISTI # 1562-1011-ND
RF DigitalRFDUINO TEASER KIT
Min Qty: 1
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    RFD90101
    DISTI # 8011733
    RF DigitalRFduino Teaser Kit MCU Development Kit RFD90101, EA
    Min Qty: 1
    Container: Bulk
    27
    • 1:$53.4870
    Bild Teil # Beschreibung
    RFDA0047TR13

    Mfr.#: RFDA0047TR13

    OMO.#: OMO-RFDA0047TR13

    RF Amplifier 400 - 2700 MHz 19 dBm, 13dB
    RFD16N05LSM9A

    Mfr.#: RFD16N05LSM9A

    OMO.#: OMO-RFD16N05LSM9A

    MOSFET Power MOSFET
    RFD77201

    Mfr.#: RFD77201

    OMO.#: OMO-RFD77201

    Bluetooth Development Tools (802.15.1) SIMBLEE BLE DIP Module
    RFD10N05SM96

    Mfr.#: RFD10N05SM96

    OMO.#: OMO-RFD10N05SM96-1190

    Neu und Original
    RFD10P03LSM

    Mfr.#: RFD10P03LSM

    OMO.#: OMO-RFD10P03LSM-ON-SEMICONDUCTOR

    MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
    RFD1405L

    Mfr.#: RFD1405L

    OMO.#: OMO-RFD1405L-1190

    Neu und Original
    RFD15N06LESM

    Mfr.#: RFD15N06LESM

    OMO.#: OMO-RFD15N06LESM-1190

    Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
    RFD16N05TSM

    Mfr.#: RFD16N05TSM

    OMO.#: OMO-RFD16N05TSM-1190

    Neu und Original
    RFD8P06SM

    Mfr.#: RFD8P06SM

    OMO.#: OMO-RFD8P06SM-1190

    Neu und Original
    RFDA2025

    Mfr.#: RFDA2025

    OMO.#: OMO-RFDA2025-1190

    Translation - Voltage Levels 0.5 - 2.5 GHz 25 dBm, 11.5 dB
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    4500
    Menge eingeben:
    Der aktuelle Preis von RFD9N05 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    0,00 $
    0,00 $
    10
    0,00 $
    0,00 $
    100
    0,00 $
    0,00 $
    500
    0,00 $
    0,00 $
    1000
    0,00 $
    0,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
    Beginnen mit
    Top