BSS123LT7G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

170 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.6 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

225 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel Power MOSFET

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 mMhos

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Tags

BSS123LT, BSS123L, BSS123, BSS12, BSS1, BSS