STD1HN60K3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.7 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.75 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

9.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

27 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperMESH

Verpackung:

Spule

Serie:

STD1HN60K3

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

31 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STD1H, STD1, STD