TGF2160

TGF2160
Mfr. #:
TGF2160
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF2160 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
pHEMT
Technologie:
GaAs
Gewinnen:
10.4 dB
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
12 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
- 7 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
517 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
5.6 W
Montageart:
SMD/SMT
Verpackung:
Gel-Pack
Aufbau:
Dual
Arbeitsfrequenz:
20 GHz
Betriebstemperaturbereich:
- 65 C to + 150 C
Produkt:
HF-JFET
Typ:
GaAs pHEMT
Marke:
Qorvo
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
619 mS
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
P1dB - Kompressionspunkt:
32.5 dBm
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
100
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1098617
Tags
TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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***W
Transistor, DC- 20 GHz, 32.5 dBm, 10.4 dB, 8V, DIE
Triquint GaAs pHEMt Low Noise Amplifiers
TriQuint offers a wide variety of discrete transistor components using TriQuint's state-of-the-art ultra-low-noise 0.13µm pHEMT and 0.25µm E-pHEMT processes. These discrete devices allow customers full control when designing the circuits of low noise amplifiers (LNAs). The various discrete FETs offer NFmin as low as 0.15 dB and are usable up to 22 GHz. Matched pair transistors are also available and are ideal for balanced LNA designs.Learn More
TGF2160 1600µm Discrete GaAs pHEMT
Qorvo TGF2160 1600µm Discrete GaAs pHEMT operates from DC to 20GHz and is designed using the Qorvo 0.25µm power pHEMT production process. This process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. Qorvo TGF2160 typically provides 32.5dBm of output power at P1dB with gain of 10.4dB and 63% power-added efficiency at 1dB compression. This performance makes TGF2160 appropriate for high efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride provides a level of environmental robustness and scratch protection.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGF2160
DISTI # 772-TGF2160
QorvoRF JFET Transistors DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
RoHS: Compliant
0
  • 100:$17.2700
  • 300:$16.1400
  • 500:$15.0900
Bild Teil # Beschreibung
TGF2977-SM

Mfr.#: TGF2977-SM

OMO.#: OMO-TGF2977-SM

RF JFET Transistors 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
TGF2023-2-05

Mfr.#: TGF2023-2-05

OMO.#: OMO-TGF2023-2-05

RF JFET Transistors DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
TGF40-07870787-039

Mfr.#: TGF40-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF40-07870787-039

Thermal Interface Products 4W/m-K 200*200*1 TGF40 Purple
TGF10-07870787-039

Mfr.#: TGF10-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF10-07870787-039

Thermal Interface Products 1W/m-K 200*200*1 TGF10 White Gray
TGF50-07870787-039

Mfr.#: TGF50-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF50-07870787-039-LEADER-TECH

Thermal Gap Filler/Grey 6.0W/m-K
TGF2965-SM

Mfr.#: TGF2965-SM

OMO.#: OMO-TGF2965-SM-318

RF JFET Transistors 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
TGF4118

Mfr.#: TGF4118

OMO.#: OMO-TGF4118-1190

Neu und Original
TGF35-07870787-039

Mfr.#: TGF35-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF35-07870787-039-LEADER-TECH

Thermal Gap Filler/White Grey 3.5W/m-K
TGF30SF-07870787-020

Mfr.#: TGF30SF-07870787-020

OMO.#: OMO-TGF30SF-07870787-020-LEADER-TECH

THERMAL GAP FILLER, 200X200X0.5MM
TGFSB

Mfr.#: TGFSB

OMO.#: OMO-TGFSB-PANDUIT

TG FIBER SPOOL BRACKET
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16,14 $
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