SI7384DP-T1-GE3

SI7384DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7384DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7384DP-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7384DP-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
1.8 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
13 ns
Anstiegszeit
13 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
11 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
8.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
45 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
10 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI738, SI73, SI7
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7384DP-T1-GE3
DISTI # SI7384DP-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
  • 3000:$0.9504
SI7384DP-T1-GE3
DISTI # 781-SI7384DP-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
    Bild Teil # Beschreibung
    SI7384DP-T1-GE3

    Mfr.#: SI7384DP-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7384DP-T1-GE3

    MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA18DP-T1-GE3
    SI7384DP-T1-E3

    Mfr.#: SI7384DP-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7384DP-T1-E3-VISHAY

    RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
    SI7384DP-T1-GE3

    Mfr.#: SI7384DP-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7384DP-T1-GE3-VISHAY

    RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    3500
    Menge eingeben:
    Der aktuelle Preis von SI7384DP-T1-GE3 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    1,43 $
    1,43 $
    10
    1,35 $
    13,54 $
    100
    1,28 $
    128,30 $
    500
    1,21 $
    605,90 $
    1000
    1,14 $
    1 140,50 $
    Beginnen mit
    Top