CSD13302WT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DSBGA-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

17.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

700 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

7.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.62 mm

Länge:

1 mm

Serie:

CSD13302W

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

10 S

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Gewichtseinheit:

0.007055 oz

Tags

CSD1330, CSD133, CSD13, CSD1, CSD