FQB34P10TM-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

33.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

60 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

3.75 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

QFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FQB34P10TM_F085

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

210 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

250 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

160 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Teil # Aliase:

FQB34P10TM_F085

Gewichtseinheit:

0.046296 oz

Tags

FQB34P10TM-F, FQB34P10T, FQB34P, FQB34, FQB3, FQB