RS1E280BNTB

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

HSOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

94 nC

Pd - Verlustleistung:

30 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

3.2 mm

Transistortyp:

1 N-channel

Breite:

3 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

28 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

100 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

160 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

31 ns

Teil # Aliase:

RS1E280BN

Tags

RS1E280B, RS1E280, RS1E28, RS1E2, RS1E, RS1