EM6K6T2R

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

300 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.5 mm

Länge:

1.6 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

EM6K6

Transistortyp:

2 N-Channel MOSFET

Breite:

1.2 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Teil # Aliase:

EM6K6

Gewichtseinheit:

0.000106 oz

Tags

EM6K6T, EM6K6, EM6K, EM6