BSZ15DC02KDHXTMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PG-TSDSON-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.1 A, 3.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

55 mOhms, 150 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV, 1.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

2.1 nC, - 3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3.3 mm

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5.5 S, 3.4 S

Abfallzeit:

1.4 ns, 4.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2 ns, 3.7 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12.2 ns, 11.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.9 ns, 7.4 ns

Teil # Aliase:

BSZ15DC02KD H SP000961028

Gewichtseinheit:

0.001129 oz

Tags

BSZ15DC02KDH, BSZ15D, BSZ15, BSZ1, BSZ