DMN2065UWQ-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

52 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

350 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

5.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

700 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

7 S

Abfallzeit:

7.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.5 ns

Gewichtseinheit:

0.000952 oz

Tags

DMN206, DMN20, DMN2, DMN