RD3U040CNTL1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

8.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

29 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.1 S

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Tags

RD3U, RD3