IXTN32P60P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Chassishalterung

Paket / Koffer:

SOT-227-4

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

32 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

350 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Qg - Gate-Ladung:

196 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

890 W

Verpackung:

Rohr

Produkt:

Leistungs-MOSFET

Serie:

IXTN32P60

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

32 S / 21 S

Abfallzeit:

33 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

10

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

95 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

37 ns

Gewichtseinheit:

1.058219 oz

Tags

IXTN3, IXTN, IXT