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K4B1G1646G-BCH9
K4B1G1646G-BCH9
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K4B1G1646G-BCH9

Mfr. #:
K4B1G1646G-BCH9
Hersteller:
SAMSUNG
Beschreibung:
DDR DRAM, 64MX16, 0.255NS, CMOS, PBGA96
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
K4B1G1646G-BCH9 Datenblatt
ECAD Model:

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500
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2 390,65 $
1000
4,50 $
4 500,00 $
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
SAMSUNG
Produktkategorie
IC-Chips
Tags
K4B1G1646G-BCH, K4B1G1646G-BC, K4B1G1646G-B, K4B1G1646G, K4B1G1646, K4B1G1, K4B1G, K4B1, K4B
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 64MX16 1.5V 96-Pin FBGA
*** International
K4B1G1646G-BCH9 SAMSUNG
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
K4B1G1646G-BCH9000Samsung Electronics Co. Ltd 20
    K4B1G1646G-BCH9Samsung Electro-MechanicsDDR DRAM, 64MX16, 0.255NS, CMOS, PBGA9620
    • 6:$3.7500
    • 2:$5.0000
    • 1:$7.5000
    K4B1G1646G-BCH9Samsung SemiconductorDDR DRAM, 64MX16, 0.255NS, CMOS, PBGA964
    • 2:$5.0000
    • 1:$7.5000
    Bild Teil # Beschreibung
    K4B1G1646D-HCF8

    Mfr.#: K4B1G1646D-HCF8

    OMO.#: OMO-K4B1G1646D-HCF8-1190

    		 Neu und Original
    K4B1G1646E-HCF7

    Mfr.#: K4B1G1646E-HCF7

    OMO.#: OMO-K4B1G1646E-HCF7-1190

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    K4B1G1646E-HYF8

    Mfr.#: K4B1G1646E-HYF8

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    		 Neu und Original
    K4B1G1646G-BCH9-

    Mfr.#: K4B1G1646G-BCH9-

    OMO.#: OMO-K4B1G1646G-BCH9--1190

    		 Neu und Original
    K4B1G1646G-BCK

    Mfr.#: K4B1G1646G-BCK

    OMO.#: OMO-K4B1G1646G-BCK-1190

    		 Neu und Original
    K4B1G1646G-BCK0 , NT5SV16M16CS-6K

    Mfr.#: K4B1G1646G-BCK0 , NT5SV16M16CS-6K

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    K4B1G1646G-BCK9

    Mfr.#: K4B1G1646G-BCK9

    OMO.#: OMO-K4B1G1646G-BCK9-1190

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    K4B1G1646I-BCK0

    Mfr.#: K4B1G1646I-BCK0

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    		 INSTOCK
    K4B1G1646I-BCMATCV

    Mfr.#: K4B1G1646I-BCMATCV

    OMO.#: OMO-K4B1G1646I-BCMATCV-1190

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    K4B1G1646I-BYMA

    Mfr.#: K4B1G1646I-BYMA

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