STP200N4F3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.15 mm

Länge:

10.4 mm

Serie:

STP200N4F3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.6 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

65 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

180 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STP200N, STP200, STP20, STP2, STP