NDC652P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SSOT-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

160 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.6 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

26 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

26 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Teil # Aliase:

NDC652P_NL

Gewichtseinheit:

0.001270 oz

Tags

NDC652P, NDC652, NDC65, NDC6, NDC