2SA1162YT1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-59-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.3 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.15 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

80 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

1.09 mm

Länge:

2.9 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.5 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.15 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

120

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

2SA1162YT, 2SA1162Y, 2SA1162, 2SA116, 2SA11, 2SA1, 2SA