BUV22

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-204-2

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

250 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

40 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

8 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

8.51 mm (Max)

Länge:

38.86 mm

Verpackung:

Tablett

Breite:

26.67 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

40 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

20

Pd - Verlustleistung:

250 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

100

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

BUV2, BUV