DMG6601LVT-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.8 A, 2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

55 mOhms, 110 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV, 400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

12.3 nC, 13.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.3 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMG6601

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

15.6 ns, 2.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.4 ns, 4.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

31.2 ns, 18.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1.6 ns, 1.7 ns

Gewichtseinheit:

0.000459 oz

Tags

DMG6601, DMG66, DMG6, DMG