QPD1015

QPD1015
Mfr. #:
QPD1015
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
QPD1015 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
20 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
50 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
145 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
2.5 A
Ausgangsleistung:
70 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Pd - Verlustleistung:
64 W
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
NI-360
Verpackung:
Tablett
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
3.7 GHz
Betriebstemperaturbereich:
- 40 C to + 85 C
Serie:
QPD
Marke:
Qorvo
Entwicklungs-Kit:
QPD1015PCB401
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
Transistoren
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
- 2.8 V
Tags
QPD101, QPD10, QPD1, QPD
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***W
RF Power Transistor, DC - 3.7 GHz, 65 W, 50 V, GaN, NI-360
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Bild Teil # Beschreibung
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OMO.#: OMO-QPD1017

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Verfügbarkeit
Aktie:
35
Auf Bestellung:
2018
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135,00 $
25
117,00 $
2 925,00 $
100
101,00 $
10 100,00 $
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