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GT8G133(TE12L,Q)

GT8G133(TE12L,Q)
Mfr. #:
GT8G133(TE12L,Q)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
GT8G133(TE12L,Q) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
GT8G133(TE12L,Q) DatasheetGT8G133(TE12L,Q) Datasheet (P4-P6)GT8G133(TE12L,Q) Datasheet (P7)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Toshiba Halbleiter und Speicher
Produktkategorie
IGBTs - Single
Serie
-
Verpackung
Band & Spule (TR)
Paket-Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Eingabetyp
Standard
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Lieferanten-Geräte-Paket
8-TSSOP
Leistung max
600mW
Reverse-Recovery-Time-trr
-
Strom-Kollektor-Ic-Max
-
Spannungs-Kollektor-Emitter-Breakdown-Max
400V
IGBT-Typ
-
Strom-Kollektor-gepulster-Icm
150A
Vce-on-Max-Vge-Ic
2.9V @ 4V, 150A
Schaltenergie
-
Gate-Gebühr
-
Td-ein-aus-25°C
1.7μs/2μs
Testbedingung
-
Tags
GT8G133, GT8G13, GT8G1, GT8G, GT8
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
***th Star Micro
IGBT 400V 150A 8-TSSOP
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
GT8G133(TE12L,Q)
DISTI # GT8G133(TE12L,Q)-ND		Toshiba America Electronic ComponentsIGBT 400V 600MW 8TSSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    GT8G133(TE12L,Q)
    DISTI # N/A    		Toshiba America Electronic ComponentsIGBT Transistors IGBT, 400V, 150A
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      GT8G133(TE12L,Q)

      Mfr.#: GT8G133(TE12L,Q)

      OMO.#: OMO-GT8G133-TE12L-Q--TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

      		 Neu und Original
      GT8G133(TE12L,Q)-ND

      Mfr.#: GT8G133(TE12L,Q)-ND

      OMO.#: OMO-GT8G133-TE12L-Q--ND-1190

      		 Neu und Original
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