DMG8822UTS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

19 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

9.6 nC, 9.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

870 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMG8822

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

10.1 ns, 10.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

21.1 ns, 21.1 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38.6 ns, 38.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.8 ns, 7.8 ns

Gewichtseinheit:

0.006737 oz

Tags

DMG88, DMG8, DMG