IXTH3N120

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

39 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.46 mm

Länge:

16.26 mm

Serie:

IXTH3N120

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Hochspannungs-Leistungs-MOSFET

Breite:

5.3 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.5 S

Abfallzeit:

18 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

IXTH3N1, IXTH3N, IXTH3, IXTH, IXT