DMT35M7LFV-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Paket / Koffer:

PowerDI3333-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

76 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

36 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.98 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

15.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12.3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.3 ns

Tags

DMT3, DMT