HP8KA1TB

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

HSOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

14 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7 mOhms, 7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

24 nC, 24 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

5.8 mm

Produkt:

MOSFET

Transistortyp:

2 N-channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

14 S, 14 S

Abfallzeit:

40 ns, 40 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns, 30 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

85 ns, 85 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns, 25 ns

Teil # Aliase:

HP8KA1

Gewichtseinheit:

0.002490 oz

Tags

HP8KA, HP8K, HP8