BSM50GX120DN2

BSM50GX120DN2
Mfr. #:
BSM50GX120DN2
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Modules
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSM50GX120DN2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
IGBT-Module
RoHS:
Y
Produkt:
IGBT Silizium Module
Aufbau:
3-Phase
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
78 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
200 nA
Pd - Verlustleistung:
400 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Tablett
Marke:
Infineon-Technologien
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
10
Unterkategorie:
IGBTs
Teil # Aliase:
BSM50GX120DN2BOSA1 SP000100372
Tags
BSM50G, BSM5, BSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***omponent
IGBT Power Transistor Modules
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSM50GX120DN2BOSA1
DISTI # V99:2348_18204620
Infineon Technologies AGLOW POWER ECONO0
    BSM50GX120DN2BOSA1
    DISTI # BSM50GX120DN2BOSA1-ND
    Infineon Technologies AGIGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 10
    Container: Tray
    Limited Supply - Call
    • 10:$115.1740
    BSM50GX120DN2
    DISTI # SP000100372
    Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A nom 36-Pin (Alt: SP000100372)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Europe - 5
    • 1000:€92.4900
    • 500:€99.0900
    • 100:€102.7900
    • 50:€106.7900
    • 25:€110.9900
    • 10:€115.6900
    • 1:€126.1900
    BSM50GX120DN2BOSA1
    DISTI # BSM50GX120DN2BOSA1
    Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A nom 36-Pin - Trays (Alt: BSM50GX120DN2BOSA1)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 10
    Container: Tray
    Americas - 0
    • 100:$103.6900
    • 60:$105.5900
    • 40:$109.2900
    • 20:$113.3900
    • 10:$117.6900
    BSM50GX120DN2
    DISTI # 641-BSM50GX120DN2
    Infineon Technologies AGIGBT Modules
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      BSM50GAL120DLC

      Mfr.#: BSM50GAL120DLC

      OMO.#: OMO-BSM50GAL120DLC-1190

      Neu und Original
      BSM50GB60DLCHOSA1

      Mfr.#: BSM50GB60DLCHOSA1

      OMO.#: OMO-BSM50GB60DLCHOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      IGBT MODULE 600V 75A
      BSM50GD120D2

      Mfr.#: BSM50GD120D2

      OMO.#: OMO-BSM50GD120D2-1190

      Neu und Original
      BSM50GD120DLC-E3224

      Mfr.#: BSM50GD120DLC-E3224

      OMO.#: OMO-BSM50GD120DLC-E3224-1190

      Neu und Original
      BSM50GD120N2

      Mfr.#: BSM50GD120N2

      OMO.#: OMO-BSM50GD120N2-1190

      Neu und Original
      BSM50GD60DN2

      Mfr.#: BSM50GD60DN2

      OMO.#: OMO-BSM50GD60DN2-1190

      Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES
      BSM50GB120DN2HOSA1

      Mfr.#: BSM50GB120DN2HOSA1

      OMO.#: OMO-BSM50GB120DN2HOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      IGBT 2 MED POWER 34MM-1
      BSM50GD170DL

      Mfr.#: BSM50GD170DL

      OMO.#: OMO-BSM50GD170DL-125

      IGBT Modules N-CH 1.7KV 100A
      BSM50GD120DN2

      Mfr.#: BSM50GD120DN2

      OMO.#: OMO-BSM50GD120DN2-125

      IGBT Modules 1200V 50A FL BRIDGE
      BSM50GB60DLC

      Mfr.#: BSM50GB60DLC

      OMO.#: OMO-BSM50GB60DLC-125

      IGBT Modules 600V 50A DUAL
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      1
      124,97 $
      124,97 $
      5
      122,52 $
      612,60 $
      10
      116,80 $
      1 168,00 $
      25
      114,35 $
      2 858,75 $
      100
      108,63 $
      10 863,00 $
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