DMN3016LK3-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

37.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

16 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

25.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.29 mm

Länge:

6.1 mm

Produkt:

Enhancement Mode MOSFET

Serie:

DMN3016

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Enhancement Mode MOSFET

Breite:

6.58 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Abfallzeit:

5.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16.5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.8 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

DMN3016, DMN301, DMN30, DMN3, DMN