NE5230DR2G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Operationsverstärker - Operationsverstärker

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Versorgungsspannung - Max.:

15 V

Ausgangsstrom pro Kanal:

6 mA

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

GBP - Bandbreitengewinn Produkt:

250 kHz

SR - Anstiegsrate:

0.09 V/us

CMRR - Gleichtaktunterdrückungsverhältnis:

85 dB

Ib - Eingangs-Bias-Strom:

150 nA

Vos - Eingangs-Offsetspannung:

3 mV

Versorgungsspannung - Min.:

1.8 V

Betriebsversorgungsstrom:

110 uA

Minimale Betriebstemperatur:

0 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 70 C

Stilllegen:

Keine Abschaltung

Serie:

NE5230

Verpackung:

Spule

Verstärkertyp:

Niederspannungsverstärker

Höhe:

1.5 mm (Max)

Länge:

5 mm (Max)

Produkt:

Operationsverstärker

Versorgungstyp:

Single, Dual

Technologie:

Bipolar

Breite:

4 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Doppelte Versorgungsspannung:

+/- 3 V, +/- 5 V

de - Rauschdichte der Eingangsspannung:

60 nV/sqrt Hz

Maximale doppelte Versorgungsspannung:

+/- 7.5 V

Minimale duale Versorgungsspannung:

+/- 0.9 V

Betriebsversorgungsspannung:

1.8 V to 15 V, +/- 0.9 V to +/- 7.5 V

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Produktart:

Operationsverstärker - Operationsverstärker

PSRR - Stromversorgungs-Unterdrückungsverhältnis:

85 dB

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Verstärker-ICs

Vcm - Gleichtaktspannung:

Negative Rail + 0.25 V to Positive Rail - 0.25 V

Spannungsverstärkung dB:

126.02 dB

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

NE5230DR, NE5230D, NE5230, NE523, NE52, NE5