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IPB12CN10N G

IPB12CN10N G
Mfr. #:
IPB12CN10N G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 85V 67A D2PAK-2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPB12CN10N G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
85 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
67 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
12.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
125 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
4.4 mm
Länge:
10 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
9.25 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
8 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
21 ns
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
17 ns
Teil # Aliase:
IPB12CN10NGXT
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
IPB12CN10N, IPB12CN1, IPB12C, IPB12, IPB1, IPB
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
***nell
MOSFET, N CH, 67A, 100V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N; Current Id Max:67A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):9.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO263; No. of Pins:3; Transistor Type:Power MOSFET
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPB12CN10N G
DISTI # IPB12CN10NG-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPB12CN10NGATMA2
    DISTI # IPB12CN10NGATMA2-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
    RoHS: Compliant
    Container: Tape & Reel (TR)    		Limited Supply - Call
      Bild Teil # Beschreibung
      IPB12CN10N G

      Mfr.#: IPB12CN10N G

      OMO.#: OMO-IPB12CN10N-G

      		 MOSFET N-Ch 85V 67A D2PAK-2
      IPB12CN10N G

      Mfr.#: IPB12CN10N G

      OMO.#: OMO-IPB12CN10N-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
      IPB12CN10LG

      Mfr.#: IPB12CN10LG

      OMO.#: OMO-IPB12CN10LG-1190

      		 Neu und Original
      IPB12CN10N

      Mfr.#: IPB12CN10N

      OMO.#: OMO-IPB12CN10N-1190

      		 Neu und Original
      IPB12CN10NG

      Mfr.#: IPB12CN10NG

      OMO.#: OMO-IPB12CN10NG-1190

      		 Neu und Original
      IPB12CNE8N G

      Mfr.#: IPB12CNE8N G

      OMO.#: OMO-IPB12CNE8N-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
      IPB12CNE8NG

      Mfr.#: IPB12CNE8NG

      OMO.#: OMO-IPB12CNE8NG-1190

      		 Neu und Original
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      3000
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