TSM4946DCS RLG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

45 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

19 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

13 S

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Gewichtseinheit:

0.030018 oz

Tags

TSM494, TSM49, TSM4, TSM