2SC4115STPR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

290 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

180 at 100 mA, 2 V

Höhe:

3 mm

Länge:

4 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

180

Pd - Verlustleistung:

400 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2SC4115ST, 2SC4115S, 2SC4115, 2SC411, 2SC41, 2SC4, 2SC