IRF1902GTRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

85 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

700 mV

Qg - Gate-Ladung:

7.5 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5.6 S

Abfallzeit:

19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001561612

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

IRF19, IRF1, IRF