IRFR3504TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

87 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Qg - Gate-Ladung:

71 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

140 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

40 S

Abfallzeit:

22 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

53 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001566890

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IRFR3504T, IRFR3504, IRFR350, IRFR35, IRFR3, IRFR, IRF