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FDP3632

FDP3632
Mfr. #:
FDP3632
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FDP3632 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
FAIRCHIL
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Rohr
Teil-Aliasnamen
FDP3632_NL
Gewichtseinheit
0.063493 oz
Montageart
Durchgangsloch
Paket-Koffer
TO-220-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
310 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 175 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
46 ns
Anstiegszeit
39 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
80 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
7.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
96 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
30 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
FDP363, FDP36, FDP3, FDP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***eco
Transistor MOSFET Negative Channel 100 Volt 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
***Semiconductor
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9mΩ. Recommended replacement is FDP090N10
***p One Stop Japan
Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
***ical
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Tube
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
***ure Electronics
N-Channel 100 V 9 mOhm PowerTrench Mosfet - TO-220AB
***et
TO-220AB, SINGLE, N-CH, 100V, 9 MOHM PWR ULTRAFET TRENCH MOS
*** Source Electronics
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
***ark
Fet 100V 9.0 Mohm To220 Rohs Compliant: Yes
***ser
MOSFETs 100V, 80a .9 Ohms/VGS=1V
***Components
MOSFET Transistor
***ment14 APAC
N CH MOSFET, 100V, 80A, TO-220AB; Transi; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:310W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:80A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:310W; Power Dissipation Pd:310W; Pulse Current Idm:820A; SMD Marking:FDP3632; Voltage Vgs Max:4V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FDP3632
DISTI # FDP3632-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		2208In Stock
  • 1600:$1.7245
  • 800:$1.8409
  • 100:$2.4810
  • 10:$3.0050
  • 1:$3.3600
FDP3632
DISTI # FDP3632		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube - Rail/Tube (Alt: FDP3632)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		Americas - 1400
  • 1:$1.1900
  • 10:$1.0900
  • 25:$1.0900
  • 50:$1.0900
  • 100:$1.0900
  • 500:$1.0900
  • 1000:$1.0900
FDP3632Fairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
RoHS: Compliant		9511
  • 1000:$1.3800
  • 500:$1.4500
  • 100:$1.5100
  • 25:$1.5800
  • 1:$1.7000
FDP3632
DISTI # 512-FDP3632		ON SemiconductorMOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
RoHS: Compliant		1048
  • 1:$2.8100
  • 10:$2.3900
  • 100:$2.0700
  • 250:$1.9600
  • 500:$1.7600
FDP3632_Q
DISTI # 512-FDP3632_Q		ON SemiconductorMOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
RoHS: Not compliant		0
    FDP3632Fairchild Semiconductor Corporation 22
      FDP3632
      DISTI # 6714828P      		ON SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 100V 12A TO220AB, TU12
      • 10:£2.1500
      • 20:£1.9400
      FDP3632
      DISTI # FDP3632      		ON SemiconductorTransistor: N-MOSFET,unipolar,100V,12A,310W,TO220AB68
      • 1:$3.9800
      • 3:$3.4100
      • 10:$2.7400
      • 25:$2.4700
      FDP3632Fairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
      RoHS: Not Compliant      		Europe - 100
        FDP3632
        DISTI # 1095015        		ON Semiconductor 
        RoHS: Compliant        		0
        • 500:$2.7900
        • 250:$3.1000
        • 100:$3.2800
        • 10:$3.7800
        • 1:$4.4500
        Bild Teil # Beschreibung
        FDPC8016S

        Mfr.#: FDPC8016S

        OMO.#: OMO-FDPC8016S

        		 MOSFET PT9N 30/12 & PT9N 25/12
        FDP5N50

        Mfr.#: FDP5N50

        OMO.#: OMO-FDP5N50

        		 MOSFET 500V N-Channel
        FDP8878

        Mfr.#: FDP8878

        OMO.#: OMO-FDP8878

        		 MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
        FDP8447L

        Mfr.#: FDP8447L

        OMO.#: OMO-FDP8447L-ON-SEMICONDUCTOR

        		 MOSFET N-CH 40V 12A TO-220
        FDP032N08B_F102

        Mfr.#: FDP032N08B_F102

        OMO.#: OMO-FDP032N08B-F102-1190

        		 Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-220 Rail - Bulk (Alt: FDP032N08B-F102)
        FDP047N08V_F102

        Mfr.#: FDP047N08V_F102

        OMO.#: OMO-FDP047N08V-F102-1190

        		 Neu und Original
        FDP3205

        Mfr.#: FDP3205

        OMO.#: OMO-FDP3205-ON-SEMICONDUCTOR

        		 MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
        FDP7030

        Mfr.#: FDP7030

        OMO.#: OMO-FDP7030-1190

        		 Neu und Original
        FDPC1012S_P

        Mfr.#: FDPC1012S_P

        OMO.#: OMO-FDPC1012S-P-1190

        		 Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R (Alt: FDPC1012S-P)
        FDP4D5N10C

        Mfr.#: FDP4D5N10C

        OMO.#: OMO-FDP4D5N10C-ON-SEMICONDUCTOR

        		 FET ENGR DEV-NOT REL
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        Available
        Auf Bestellung:
        1500
        Menge eingeben:
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        Referenzpreis (USD)
        Menge
        Stückpreis
        ext. Preis
        1
        1,64 $
        1,64 $
        10
        1,55 $
        15,53 $
        100
        1,47 $
        147,15 $
        500
        1,39 $
        694,90 $
        1000
        1,31 $
        1 308,00 $
        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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