FDP023N08B-F102

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

75 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

242 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.96 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.8 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

150 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

245 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.3 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FDP023N08B

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

185 S

Abfallzeit:

56 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

71 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

111 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

41 ns

Teil # Aliase:

FDP023N08B_F102

Gewichtseinheit:

0.082753 oz

Tags

FDP023N, FDP023, FDP02, FDP0, FDP