IPI180N10N3 G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

43 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

18 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

71 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.45 mm

Länge:

10.2 mm

Serie:

OptiMOS 3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

IPI180N10N3GXKSA1 IPI18N1N3GXK SP000683076

Gewichtseinheit:

0.084199 oz

Tags

IPI18, IPI1, IPI