A2V09H300-04NR3

A2V09H300-04NR3
Mfr. #:
A2V09H300-04NR3
Hersteller:
NXP / Freescale
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 79 W Avg., 48 V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
A2V09H300-04NR3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
NXP
Produktkategorie:
HF-MOSFET-Transistoren
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Technologie:
Si
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
900 mA, 1.3 A
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
- 500 mV, 105 V
Gewinnen:
19.7 dB
Ausgangsleistung:
79 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
OM-780-4L-4
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
720 MHz to 960 MHz
Typ:
HF-Leistungs-MOSFET
Marke:
NXP / Freescale
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
Produktart:
HF-MOSFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
250
Unterkategorie:
MOSFETs
Vgs - Gate-Source-Spannung:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.8 V
Teil # Aliase:
935320809528
Gewichtseinheit:
0.109254 oz
Tags
A2V09, A2V0, A2V
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Packaging Boxes
***ark
Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 79 W Avg., 48 V / REEL RoHS Compliant: Yes
***W
RF Power Transistor,720 to 960 MHz, 223 W, Typ Gain in dB is 19.7 @ 940 MHz, 48 V, LDMOS, SOT1818
***et
Trans RF FET N-CH 105V 4-Pin OM-780 T/R
***i-Key
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
A2V09H300-04NR3
DISTI # A2V09H300-04NR3-ND
NXP SemiconductorsAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RoHS: Not compliant
Min Qty: 250
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 250:$95.7101
A2V09H300-04NR3
DISTI # A2V09H300-04NR3
NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 105V 4-Pin OM-780 T/R (Alt: A2V09H300-04NR3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tape and Reel
Europe - 0
  • 1:€96.2900
  • 10:€94.4900
  • 25:€91.5900
  • 50:€88.5900
  • 100:€88.0900
  • 500:€87.4900
  • 1000:€86.3900
A2V09H300-04NR3
DISTI # A2V09H300-04NR3
NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 105V 4-Pin OM-780 T/R - Tape and Reel (Alt: A2V09H300-04NR3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 250
Container: Reel
Americas - 0
  • 250:$104.8900
  • 500:$100.6900
  • 1000:$96.7900
  • 1500:$93.2900
  • 2500:$91.4900
A2V09H300-04NR3
DISTI # 841-A2V09H300-04NR3
NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 79 W Avg., 48 V
RoHS: Compliant
0
  • 250:$93.5600
A2V09H300-04NR3
DISTI # A2V09H300-04NR3
NXP SemiconductorsRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
192
  • 1:$120.3300
  • 10:$111.2100
  • 25:$107.9500
Bild Teil # Beschreibung
A2V09H300-04NR3

Mfr.#: A2V09H300-04NR3

OMO.#: OMO-A2V09H300-04NR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 79 W Avg., 48 V
A2V09H300-04NR3

Mfr.#: A2V09H300-04NR3

OMO.#: OMO-A2V09H300-04NR3-NXP-SEMICONDUCTORS

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2V09H300-04N

Mfr.#: A2V09H300-04N

OMO.#: OMO-A2V09H300-04N-1190

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